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本文采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底上制备出了高质量的碳化硅(SiC)薄膜.主要研究了溅射参数对沉积SiC薄膜结构的影响,探索了SiC薄膜的最佳制备条件.傅立叶红外(FTIR)光谱测试表明在优化的参数条件下,采用射频磁控溅射法,能够制备出高质量的β-SiC薄膜.
磁控溅射碳化硅薄膜的结构研究
【摘 要】
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本文采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底上制备出了高质量的碳化硅(SiC)薄膜.主要研究了溅射参数对沉积SiC薄膜结构的影响,探索了SiC薄膜的最佳制备条件.傅立叶红外(FTIR)光谱
【机 构】
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北京工业大学材料学院,新型功能材料教育部重点实验室(北京)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2001年期
其他文献
用射频磁控溅射方法在有机柔性衬底上制备出好的附着性、低电阻率、高透射率ＺｎＯ：Ａｌ的透明导电膜，研究了薄膜的结构、电学和光学特性。
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