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磁控溅射碳化硅薄膜的结构研究
磁控溅射碳化硅薄膜的结构研究
来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kikox3
【摘 要】
:
本文采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底上制备出了高质量的碳化硅(SiC)薄膜.主要研究了溅射参数对沉积SiC薄膜结构的影响,探索了SiC薄膜的最佳制备条件.傅立叶红外(FTIR)光谱
【作 者】
:
王玫
黄安平
宋雪梅
朱满康
汪浩
王波
严辉
姚振宇
【机 构】
:
北京工业大学材料学院,新型功能材料教育部重点实验室(北京)
【出 处】
:
第四届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
:
2001年期
【关键词】
:
磁控溅射法
碳化硅薄膜
傅立叶红外
质量
制备条件
射频
溅射参数
光谱测试
薄膜结构
优化
衬底
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本文采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底上制备出了高质量的碳化硅(SiC)薄膜.主要研究了溅射参数对沉积SiC薄膜结构的影响,探索了SiC薄膜的最佳制备条件.傅立叶红外(FTIR)光谱测试表明在优化的参数条件下,采用射频磁控溅射法,能够制备出高质量的β-SiC薄膜.
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会议
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取向生长
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沉积方式
平行
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