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为利用SOI技术的优点,尝试用热导率更高的材料代替SiO2做为绝缘埋层,并在此基础上探索新型SOI器件结构,正是基于这种思想提出了相应的埋层新结构。为降低成本开发了基于硅基衬底上的GaN技术,说明GaN作SOI埋层填充物,在与硅和二氧化硅的兼容性上技术障碍得到了克服,用其作为SOICMOS器件的埋层新结构技术是可行的。