碳化硅纳米粉体的制备及真空度的影响

来源 :第四届全国工程陶瓷学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhang16432780
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以六甲基二硅氨烷和高纯氢气为原料,在1400℃温度条件下,通化化学气相沉积法(CVD),制备出了粒度为8nm~10nm的无定型粉体。经过1500℃晶化处理后,出现以β-SiC相为主体,有弱α-SiC相的衍射峰,晶化后的颗粒为20nm~40nm。实验发现设备的初始睦空度严重地影响着纳米粉体的质量,初始真空度低将使C、Si总含量下降,游离Si、C含量上升。合成后的粉体进行了XRD、TEM及红外分析,晶化后的粉体进行了XRD,TEM,HREM和湿化学分析,并与日本的粉体进行了比较。
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