【摘 要】
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我们在不同的温度下在c面蓝宝石衬底上生长了氧化锌的缓冲层,并在此基础上继续生长出了高质量的氧化锌薄膜.X射线衍射(XRD)显示,缓冲层的引入对(002)ZnO的衍射峰强度有着非常大的影响,并会减小薄膜内部的张应变,从而有效的提高薄膜的晶体质量.样品的光荧光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)测试结果显示引入缓冲层后,薄膜的光学质量得到了相应的提高,薄膜的表面粗糙度变大.缓冲层温度为320℃的氧化锌薄
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家联合重点实验室(吉林长春) 吉林大学电子科学与工程学院集成
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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我们在不同的温度下在c面蓝宝石衬底上生长了氧化锌的缓冲层,并在此基础上继续生长出了高质量的氧化锌薄膜.X射线衍射(XRD)显示,缓冲层的引入对(002)ZnO的衍射峰强度有着非常大的影响,并会减小薄膜内部的张应变,从而有效的提高薄膜的晶体质量.样品的光荧光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)测试结果显示引入缓冲层后,薄膜的光学质量得到了相应的提高,薄膜的表面粗糙度变大.缓冲层温度为320℃的氧化锌薄膜拥有较好的结晶特性和光学特性,其表面粗糙度为22nm.
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本文首先明确了与LED效率相关的几个概念,并结合LED的发光机理,分析得出目前限制GaN基LED发光效率的主要因素是外提取效率,然后利用几何和物理光学方法分析了影响GaN基LED外提取效率的因素和机理,最后针对全反射,吸收,侧向发光等问题总结了现有的各种提高GaN基LED提取效率的手段及其优缺点.
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