工作压强对室温制备AZO薄膜性能的影响

来源 :广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cs444444
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室温条件下,采用射频磁控溅射法在普通玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和四探针对不同工作压强下所得的样品进行了结构、电学和光学性能的测量.结果表明:所制备的AZO薄膜均具有六角纤锌矿结构,沿c轴择优取向生长;在可见光范围内,薄膜平均透过率约为80%;随着工作压强的降低,薄膜的电阻率呈下降趋势.
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