【摘 要】
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对缓冲层中极化掺杂的GaN基异质结器件(HFET)的击穿特性做了仿真研究.首先针对Al组分渐变的AlxGa1-xN缓冲层分析计算了其中三维空穴气(3DHG)的浓度分布,并分析研究了AlGaN层中Al组分的变化率对3DHG浓度的影响.仿真结果表明,其浓度随Al组分变化率的增加而增加.其次,基于AlGaN/GaN HFET器件,研究了极化掺杂对器件直流特性和击穿特性的影响.结果表明,随着3DHG浓度的
【机 构】
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电子科技大学 四川省成都市建设北路二段四号 610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会
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对缓冲层中极化掺杂的GaN基异质结器件(HFET)的击穿特性做了仿真研究.首先针对Al组分渐变的AlxGa1-xN缓冲层分析计算了其中三维空穴气(3DHG)的浓度分布,并分析研究了AlGaN层中Al组分的变化率对3DHG浓度的影响.仿真结果表明,其浓度随Al组分变化率的增加而增加.其次,基于AlGaN/GaN HFET器件,研究了极化掺杂对器件直流特性和击穿特性的影响.结果表明,随着3DHG浓度的增大,器件饱和电流降低,同时,缓冲层中的泄漏电流降低了4～5个数量级.通过对电场分布的优化,在栅漏距离Lgd=3 μm时,最大击穿电压为600V.
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