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基于MEDICI模拟软件,研究不同栅氧化层厚度和有效沟道长度对深亚微米NMOS器件的热载流子效应的影响。结果表明了,器件的热载流子效应随着栅氧厚度和沟道长度的缩小而变得越来越严重。此外,证实了在Ibonx热载流子应力下界面态的产生是导致器件性能退化的主导因素。指出了电子迁移率减少和阈值电压增大是导致深亚微米NMOSFETs电学特性退化的根本原因。