浸锡工艺在单晶硅太阳能电池上的应用

来源 :第十届中国太阳能光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:working_man_1986
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地面用单晶硅太阳能电池正面用于互联的电极是由丝印银浆经烧结而成的,正面栅线的高度受丝网印刷和银浆限制,无法印到很高的状态。通过浸锡工艺,可以提高正面栅线的高度。由于R=ρL/S,高度增加的同时,面积也增加了,从而可以降低栅线电阻。目前全世界仅日本有公司能对晶体太阳能电池片进行浸锡工艺处理。经过一年多的时间对浸锡工艺进行了摸索,基本掌握了整个浸无铅锡过程。此工艺作为尚德公司的一个技术储备。
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