单晶拉制相关论文
纯化石英坩埚所用高纯石英砂,改变其中Na、K元素的含量,研究了石英坩埚中Na、K元素含量的不同对硅单晶拉制的影响。结果表明,降低N......
在单晶拉制、弯管、淬火等热加工场合,需要安静的加热环境.将感应加热电源的输出频率提高至超音频(18kHz以上)是消除噪声的有效措......
推广了单晶拉制中的一个非定常自由边界问题,考虑了解的存在唯一性....
考虑单晶拉制非定常模型中提出来的一个自由边界问题,给出了它的存在唯一性。...
<正> 据《科学时报》报道,我国第一根直径为12英寸的红外光学锗单品,于最近在北京有色金属研究总院下属的北京国晶辉红外光学科技......
本文研究了快速热处理退除热施主态的工艺,及450℃、1小时热处理施主的再生问题。结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法,其效......
IC、LSI、VLSI等半导体器件的基础材料——硅单晶的生产量正在逐年增加着,今年日本的生产量要比当初预料的1000吨有较大幅度的提......
<正> 一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10~(18)cm~(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除......