【摘 要】
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由于在新型光电子器件方面具有广阔的应用前景，宽禁带半导体材料近几十年来引起了研究者的广泛关注[1-3]。为了制备高性能的pn结型器件，需要同时获得高迁移率的、宽带隙的P
【机 构】
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中国科学院福建物质结构研究所光电材料化学与物理重点实验室,福州350002
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由于在新型光电子器件方面具有广阔的应用前景，宽禁带半导体材料近几十年来引起了研究者的广泛关注[1-3]。为了制备高性能的pn结型器件，需要同时获得高迁移率的、宽带隙的P型和N型材料。对于目前主流研究的GaN、SiC、ZnO这三种材料来说，其n型载流子的背景浓度较高，相应的稳定的高迁移率的p型材料获得困难。因此，寻找一种高迁移率的优质P型宽禁带材料以实现高的空穴注入，从而实现高的发光效率仍是宽禁带光电子器件研究的一个重要挑战。
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