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鈣態礦太陽能電池擁有高效率、低成本與製程簡單等優點；本研究透過陽極定電流沉積法製備薄且緻密的二氧化鈦阻隔層，降低導電玻璃界面的再結合現象.藉由調控電流密度與沉積時間來控制TiO2薄膜的形貌與厚度，並探討阻隔層之製備條件對元件光電化學特性的影響；使用電化學的循環伏安法(CV)檢測TiO2阻隔層之孔隙度，其中電沉積阻隔層的孔隙率僅有常用的旋轉塗佈法的0.7倍；電沉積之阻隔層最佳元件效率為13.8％，高於旋轉塗佈法之阻隔層元件效率的10.8％，其主要改進在短路電流(JSC)與FF部分，顯示電沉積阻隔層的緻密性能有效抑制FTO界面的再結合反應，提升電子收集效率及降低整體元件內電阻.