双沟道AllnN/GaN HEMT的I-V特性研究

来源 :第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jxwdi
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本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采用这种结构制备的D-c AIInN/GaN HEMT最大输出电流为980maA/mm。D-c AIInN/GaN HEMT具有良好的栅控能力,夹断电压为-6.2V,当栅压为-2V和-4V时存在两个跨导极值点。另外,本文研究了未钝化的D-C AIInN/GaN HEMT中表面态对两个沟道中二维电子气(2DEG)的影响.
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