切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
微波功率SiGe HBT的温度特性及分析
微波功率SiGe HBT的温度特性及分析
来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wildboar2009
【摘 要】
:
本文通过研究SiGeHBT的共射级输入特性曲线随温度的变化关系,发现SiGeHBT的BE结正向电压随温度的变化率小于SiBJT,从而在温度特性方面证明了SiGeHBT更适合做微波功率器件.
【作 者】
:
杨经伟
张万荣
邱建军
高攀
金冬月
【机 构】
:
北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022
【出 处】
:
第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
:
2005年期
【关键词】
:
微波功率器件
温度特性
正向电压
特性曲线
变化关系
变化率
证明
输入
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文通过研究SiGeHBT的共射级输入特性曲线随温度的变化关系,发现SiGeHBT的BE结正向电压随温度的变化率小于SiBJT,从而在温度特性方面证明了SiGeHBT更适合做微波功率器件.
其他文献
10/100 Base-T以太网物理层的设计及测试
本文介绍了10/100Base-T以太网物理层系统芯片的设计和测试方法,给出了10/100Base-T以太网物理层芯片的流片结果.测试表明,整个系统的功能达到了设计要求.
会议
以太网物理层芯片
设计
系统芯片
测试方法
功能
第四代HIV抗原抗体联合诊断试剂检测静脉吸毒人群样本结果分析
目的:应用第四代HIV抗原抗体联合诊断试剂(以下简称第四代试剂)检测我国三省(自治区)静脉吸毒人群血清(浆)样本,从而分析第四代试剂检测临床样本的特异性和敏感性. 方法:收
会议
静脉吸毒人群
HIV抗体
第四代抗原抗体联合诊断试剂
血清检测
检测特异性
假阳性率
应重视新兵入伍后的复检工作
应重视新兵入伍后的复检工作。文章说,在每年的征兵工作中,由于地方政府和各级武装部的严密组织,新兵的体检合格率呈逐年上升趋势。但部分医务人员也存在初检过关了,复检不重
期刊
入伍后
乙肝病毒
携带者
征兵体检
初检
肝炎
窗口期
抽血检测
表面抗原
地方政府
电子器件失效的分析探讨
本文为了探索材料晶体形态与器件性能的关系及其形成机理.寻求提高器件质量的依据.利用显微设备、电子探针等设备对电子器件引脚可焊接性极差的失效现象进行了分析.
会议
电子探针
形成机理
显微设备
失效现象
器件质量
器件性能
可焊接性
晶体形态
电子器件
引脚
极差
材料
关于SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构的研究
软击穿(SBD)效应是5nm以下的SiO2主要失效模式.于是,软击穿就成为现代超薄绝缘栅集成电路的关键可靠性问题之一.本文主要研究了SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构。
会议
软击穿
电流路径
微观几何结构
失效模式
集成电路
可靠性
绝缘栅
效应
超薄
超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质研究
本文用电子速度饱和概念和比例差值方法(PDO)研究了超薄Si02在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的
会议
超薄
软击穿
特性
栅电压
栅电流
电子速度饱
通道
散射机制
密度相关
横截面积
电压变化
比例差值
饱和性质
饱和电流
证明
运动
文献
实验
缺陷
谱峰
我院录制的两部电教教材获奖
在今年八月中旬由河北省电教技术学会举办的河北省电教教材观摩评审会上,我院土建系建筑学教研室王宝生同志拍摄的幻灯片《清晨与黄昏》获幻灯片二等奖。自动化系电工学教研
期刊
电教教材
电视教材
电化教学
技术学会
电视教学
王宝
评审会
促进作用
HIV-1核酸扩增(PCR)-荧光定量检测试剂盒的临床应用评价
目的:对上海科华生物工程股份有限公司研制开发的HIV-1核酸扩增(PCR)-荧光定量检测试剂盒进行了临床考核评价. 方法:以HIV-1M群不同亚型(A,B,C,D,E)的血浆标本及临床AIDS病
会议
HIV
核酸扩增检测
荧光定量检测
试剂盒
治疗效果监控
临床评价
半导体光电器件噪声特性的测试分析
半导体光电器件的噪声特性与其制造工艺的一致性、稳定性、完美性密切相关,与其可靠性水平联系紧密.因此,深入研究半导体光电器件的噪声特性,对控制器件可靠性水平具有重要的
会议
半导体光电器件
噪声特性
可靠性水平
制造工艺
控制器件
一致性
稳定性
完美性
曲率半径法测量薄膜应力研究
微机械薄膜应力对MEMS器件的性能有较大影响,开展薄膜应力的广泛研究是必须的.针对微型薄膜传感器的薄膜应力的产生、基片曲率半径测量方法和影响因素进行研究,并且研究薄膜
会议
与本文相关的学术论文