The Be1-xZnxO alloy is prepared by plasma-assisted MBE.The optical transmission spectra on the as-grown Be1-xZnxO with different Be content obtained by vary
ZnO作为一种新型的直接带隙宽禁带半导体,激子束缚能高达60meV,容易实现与激子相关的低阈值受激发射,在半导体光电子器件领域有广泛的应用前景.但是制备稳定低阻的p型ZnO
自Yamamoto和Yoshida提出施主和受主共掺杂理论以来,ZnO共掺杂的研究日益受到人们的关注。常用的施主元素有A1、In、Mn、Co等,受主元素为N原子。目前实验研究较多的是N-P
采用脉冲激光沉积方法在不同的基底温度(室温,150,300,450,600,750℃)条件下,于石英(SiO2)和单晶硅(111)基底上制备了Ga掺杂ZnO薄膜(GZO),用X射线衍射仪、表面轮廓仪、能
BeZnO合金具有宽的带隙调节范围(理论上可从3.37eV连续过渡到10.6eV),被认为是制作光电器件的重要新型半导体材料之一.我们报道了采用等离子体辅助生长高质量的ZnO和BeO
Zn (Co, Ga) semi-polar crystalline thin films with (10 (1)1)growth orientation have been successfully grown on glass substrates by pulsed laser deposition(P
采用低压金属有机物化学气相沉积技术成功制备了p-GaN/Ga2O3/ZnO/Ga2O3/n-GaN/Sapphire双异质结发光二极管,在正向直流电压下,测试得到~406nm的紫外电致发光。在相同生长