基片集成波导缝隙式滤波器的设计与实现

来源 :2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jackluyl
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  本文基于基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide-SIW)技术设计并用印刷电路板(Printed Circuit Board)工艺实现了一种新型缝隙式滤波器,仿真结果和实验结果吻合良好.滤波器的中心频率分别为34GHz,相对带宽为8.8%,插损小于2dB且具有良好的选择性.相比于传统的基片集成波导直接耦合式滤波器,这种滤波器可以提供更宽的阻带且便于后期调试.
其他文献
  采用tsmc90CMOS的工艺,利用3级cascade结构级联设计出了一款功率放大器.设计出了单级5平方毫米大小,S21参数3-4db,三级级联S21能达到9-12db,并且在9db增益的时候能够输出
小学语文作文教学培养学生语言组织能力、阅读理解能力和情感表达能力,对学生日后的学习发展起着重要作用.为此,如何指导小学生写好语文作文,提高语文教师作文教学效果是小学
  基于MOCVD生长的AlGaN/GaN异质外延材料,采用栅挖槽技术结合A12O3介质的方式研制了1um栅长MIS结构GaN增强型HEMT器件.器件阈值电压达到1.7V,饱和电流达到570mA/mm,最大跨
  本文采用TSMC0.13μmCMOS工艺设计并实现了一款可分别工作于频段3.4GHz~3.6GHz和频段4.2GHz~4.8GHz的双频段低噪声放大器.放大器基于经典的源极电感负反馈共源共栅结构,通
会议
体育作为素质教育的重要组成部分,具有提升学生健康水平,培养与发展学生情感的重要作用.文章主要研究目前线上体育教育发展存在的问题——线上教育资源不足、课程质量有待提
  该文基于IBM 90nm工艺,采用自偏置共源共栅结构设计了中心频率为24GHz的宽带功率放大器.自偏置技术可以消除氧化层击穿电压的影响和热载流子退化,从而对功率放大器工作效
芬兰科学院高级研究员杨虎嫩博士于六、七月间赴内蒙古呼伦贝尔盟陈巴尔虎旗鄂温克苏木进行为期四十天的学术考察。这是这位北亚语言学家第三次对聚居在鄂温克苏木的堪木尼干
为贯彻落实习近平总书记关于加强青年干部理论学习的重要论述精神,促进青年干部队伍成长,全力建设一支坚持贯彻新时代中国特色社会主义思想、符合新时期好干部标准、忠诚干净
期刊
  文中报道了采用Ⅰ线步进光刻实现的3英寸SiC衬底0.5μm GaN HEMT及其可靠性.器件正面工艺光刻均采用了Ⅰ线步进光刻来实现,背面采用通孔接地.研制的GaN HEMT器件fT为15GH
会议
在日常教学环境中,教师的语言风格不仅影响学生接受知识的效果,更作为一项外部因素影响学生对该科目学习的积极性和求知欲.课堂语言对小学阶段英语学习有关键的影响.文章探讨