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基于MOCVD生长的AlGaN/GaN异质外延材料,采用栅挖槽技术结合A12O3介质的方式研制了1um栅长MIS结构GaN增强型HEMT器件.器件阈值电压达到1.7V,饱和电流达到570mA/mm,最大跨导达到170 mS/mm.器件的fT和fmax分别达到7 GHz和16 GHz.
基于Al2O3介质的MIS结构GaN增强型器件
【摘 要】
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基于MOCVD生长的AlGaN/GaN异质外延材料,采用栅挖槽技术结合A12O3介质的方式研制了1um栅长MIS结构GaN增强型HEMT器件.器件阈值电压达到1.7V,饱和电流达到570mA/mm,最大跨
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京 210016
【出 处】
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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会
【发表日期】
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2012年期
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