【摘 要】
：
为贯彻落实习近平总书记关于加强青年干部理论学习的重要论述精神,促进青年干部队伍成长,全力建设一支坚持贯彻新时代中国特色社会主义思想、符合新时期好干部标准、忠诚干净
论文部分内容阅读
为贯彻落实习近平总书记关于加强青年干部理论学习的重要论述精神,促进青年干部队伍成长,全力建设一支坚持贯彻新时代中国特色社会主义思想、符合新时期好干部标准、忠诚干净有担当、数量充足、充满活力的高素质专业化年轻队伍,中国残疾人福利基金会(以下简称中国残基会)成立了青年理论学习小组,29名40岁以下青年全部被纳入5个理论学习小组,实现了40岁以下青年全覆盖.日前,中国残基会召开青年理论学习小组成立大会,基金会领导、党总支委员、各支部委员、青年理论学习小组成员参加大会.
其他文献
本文采用基于记忆多项式模型的数字预失真器来矫正多载波多模式射频功放的非线性。文中使用单载波WCDMA、三载波CDMA2000和三载波TD-SCDMA信号作为测试信号来验证预失真
在GaN衬底上制作了MIM型BST薄膜压控电容.测试表明，该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性；在5GHz处，当外加电压15V时，电容获得30％调谐(367～530fF).同批次制作的Ga
钢筋焊接网技术近年来来得到迅速发展,成为建设部重点推广应用的新技术之一。在近几年中尤其是在桥梁工程中的应用已非常成熟。钢筋焊接网桥面铺装设计简单,现场施工方便、高
采用tsmc90CMOS的工艺,利用3级cascade结构级联设计出了一款功率放大器.设计出了单级5平方毫米大小,S21参数3-4db,三级级联S21能达到9-12db,并且在9db增益的时候能够输出
小学语文作文教学培养学生语言组织能力、阅读理解能力和情感表达能力,对学生日后的学习发展起着重要作用.为此,如何指导小学生写好语文作文,提高语文教师作文教学效果是小学
基于MOCVD生长的AlGaN/GaN异质外延材料,采用栅挖槽技术结合A12O3介质的方式研制了1um栅长MIS结构GaN增强型HEMT器件.器件阈值电压达到1.7V,饱和电流达到570mA/mm,最大跨
本文采用TSMC0.13μmCMOS工艺设计并实现了一款可分别工作于频段3.4GHz～3.6GHz和频段4.2GHz～4.8GHz的双频段低噪声放大器.放大器基于经典的源极电感负反馈共源共栅结构,通
体育作为素质教育的重要组成部分,具有提升学生健康水平,培养与发展学生情感的重要作用.文章主要研究目前线上体育教育发展存在的问题——线上教育资源不足、课程质量有待提
该文基于IBM 90nm工艺,采用自偏置共源共栅结构设计了中心频率为24GHz的宽带功率放大器.自偏置技术可以消除氧化层击穿电压的影响和热载流子退化,从而对功率放大器工作效
芬兰科学院高级研究员杨虎嫩博士于六、七月间赴内蒙古呼伦贝尔盟陈巴尔虎旗鄂温克苏木进行为期四十天的学术考察。这是这位北亚语言学家第三次对聚居在鄂温克苏木的堪木尼干