硅基GaN功率半导体技术

来源 :第十一届中国国际半导体博览会暨高峰论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：roamer_wsj

【摘要】

：

宽禁带半导体氮化镓(GaN)器件具有高压、高速、高效率、耐高温等优点,针对未来功率电子应用,GaN器件具有传统硅材料器件所不可比拟的特性优势.硅基GaN (GaN-on-Si)功率半导体

【作者】

：

张波周琦陈万军

【机构】

：

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都四川,610054

【出处】

：

第十一届中国国际半导体博览会暨高峰论坛

【发表日期】

：

2013年11期

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宽禁带半导体氮化镓(GaN)器件具有高压、高速、高效率、耐高温等优点,针对未来功率电子应用,GaN器件具有传统硅材料器件所不可比拟的特性优势.硅基GaN (GaN-on-Si)功率半导体技术由于使用硅衬底材料,可在大直径硅晶圆上外延GaN且与传统硅工艺兼容等特点,成为未来功率半导体技术发展的重要方向.

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