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宽禁带半导体氮化镓(GaN)器件具有高压、高速、高效率、耐高温等优点,针对未来功率电子应用,GaN器件具有传统硅材料器件所不可比拟的特性优势.硅基GaN (GaN-on-Si)功率半导体技术由于使用硅衬底材料,可在大直径硅晶圆上外延GaN且与传统硅工艺兼容等特点,成为未来功率半导体技术发展的重要方向.