【摘 要】
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极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography:EUVL)是7nm以下节点集成电路芯片制造的首选光刻技术,采用波长为13.5nm的极紫外光。由于空气及几乎所有的折射光学材料对EUV都
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极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography:EUVL)是7nm以下节点集成电路芯片制造的首选光刻技术,采用波长为13.5nm的极紫外光。由于空气及几乎所有的折射光学材料对EUV都具有强烈的吸收作用,因此EUV光刻机的光路传输系统必须置于真空。极紫外光刻真空系统与通常意义的超高真空环境不同:其一方面要保证对13.5nm的EUV光透过率很高,同时又需保证光刻机内部产生的污染气体或颗粒能快速排出。因此,极紫外光刻真空为一种(超)清洁真空环境。本文主要基于作者长期对极大规模集成电路制造装备研发的关注及在极紫外光刻领域的工作经验,结合极紫外光刻机的真空要求、技术特点与国内外发展现状,分析总结了极紫外光刻真空研究的一些关键技术问题和若干关键真空技术挑战。
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