论文部分内容阅读
随着CMOS工艺技术的进步,SRAM存储器向高密度、大规模方向发展。大容量存储器对访问延时的要求越来越高,译码器成为影响存储器读出速度的关键。因此,如何对译码器进行更快速、更稳定的改进,成为高性能SRAM设计的重要部分。本文对抗辐照7-128译码器进行研究,设计并改进了一种抗辐照7-128译码器,使其满足需要。