【摘 要】
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我校重点实验室与中电十三所合作，成功制备了GaN基HEFT微加速度计结构，并通过实验总结出一种测试GaN基HEFT器件压阻系数的方法，为新型微/纳机电压阻型器件的研究提供理论和实验依据.AIGaN/GaN的自发极化和压电极化特性具有改变二维电子气(2DEG)的浓度的作用，当器件受到应力时沟道二维电子气浓度会受到很大影响，因此利用HEFT器件与MEMS结构的结合设计可制造出一些高灵敏度、快速响应、输
【机 构】
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中北大学电子测试技术国家重点实验室,太原030051 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄05
【出 处】
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2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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我校重点实验室与中电十三所合作，成功制备了GaN基HEFT微加速度计结构，并通过实验总结出一种测试GaN基HEFT器件压阻系数的方法，为新型微/纳机电压阻型器件的研究提供理论和实验依据.AIGaN/GaN的自发极化和压电极化特性具有改变二维电子气(2DEG)的浓度的作用，当器件受到应力时沟道二维电子气浓度会受到很大影响，因此利用HEFT器件与MEMS结构的结合设计可制造出一些高灵敏度、快速响应、输出稳定的力电耦合器件.
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