【摘 要】
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Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料，拥有超大的带隙(～4.9 eV)、较大的击穿场强(～8 MV/cm)及较高的巴利加优值，在日盲光电探测、场效应晶体管、电子自旋存储、LED、紫外光透明导电电极、气敏、阻变等领域具有巨大的应用前景，正在形成研究热点.近两三年，我们在Ga2O3薄膜生长、物性研究及器件方面做了一些工作[1-8]，望借此机会与大家交流.利用激光分子束外延(LMBE)技术在蓝宝石衬底
【机 构】
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信息光子学与光通信国家重点实验室,北京邮电大学,北京,100876
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料，拥有超大的带隙(～4.9 eV)、较大的击穿场强(～8 MV/cm)及较高的巴利加优值，在日盲光电探测、场效应晶体管、电子自旋存储、LED、紫外光透明导电电极、气敏、阻变等领域具有巨大的应用前景，正在形成研究热点.近两三年，我们在Ga2O3薄膜生长、物性研究及器件方面做了一些工作[1-8]，望借此机会与大家交流.利用激光分子束外延(LMBE)技术在蓝宝石衬底上生长并获得了沿(-201)择优生长的高质量β-Ga2O3外延薄膜，同时开展了其在以下几个方面的应用研究：1)、通过O2气氛原位退火有效地减少了Ga2O3薄膜内的氧空位，使其与Au/Ti电极形成肖特基接触，制备了具有更快响应速度、更高光暗比的Ga2O3基日盲光电探测器；2)、利用高温下交替沉积Ga2O3及过渡金属(Mn或Cr)薄层，分别获得了均匀高掺杂的β相Ga2O3：Mn外延薄膜及具有磁各向异性的Ga2O3：Cr纳米蠕虫薄膜结构，并对其磁性起源做了讨论；3)、研究了稀土掺杂Ga2O3在近红外宽谱激光或光电放大器等多功能光电材料中的潜在应用；4)、在真空低温条件下获得非晶非化学计量比的氧化镓薄膜，报道了氧化镓薄膜的单极型阻变行为，同时发现并研究了氧化镓薄膜的反常双极型阻变特性，探索Ga2O3在阻变存储器方面的应用.
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氧化锌等宽禁带半导体材料,经过掺杂可实现自旋特性与电荷特性的结合,可在高密度非易失性存储器、磁感应器、半导体集成电路、光隔离器件和半导体激光器集成电路以及量子计算机等领域有巨大的应用潜力.为便于实际应用,材料的居里温度须高于室温.目前已有许多研究报导了过渡族元素掺杂氧化锌具有室温铁磁性,但对于其磁性的来源依然存在争议,更有研究认为磁性来自于掺杂剂形成的磁性单质或第二相.因铜及其氧化物都不具有磁性,
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