论文部分内容阅读
沟道技术分析As注入Si瞬态退火中晶格畸变对P-N结漏电的影响
【出 处】
:
第六届全国电子束离子束光子束学术年会
【发表日期】
:
1991年期
其他文献
以具有抗根肿病基因CRb的大白菜‘CR Shinkii DH’系为抗源,通过分子标记辅助选择选育出大白菜优良自交系‘BJN3’的9份抗根肿病近等基因系。通过CRb基因侧翼标记TCR01和TCR0