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GeSn 是一种新型硅基异质结构材料，其晶格常数和带隙在大范围内连续可调，并有可能实现直接带隙，在硅基高效发光和探测、硅基红外器件、高效全光谱太阳能电池研制、硅基高迁移率器件等方面具有重要应用前景，成为近年硅基光电子和微电子研究的热点。
锗锡半导体合金材料的外延生长和器件应用
【摘 要】
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GeSn 是一种新型硅基异质结构材料，其晶格常数和带隙在大范围内连续可调，并有可能实现直接带隙，在硅基高效发光和探测、硅基红外器件、高效全光谱太阳能电池研制、硅基高迁移率器件等方面具有重要应用前景，成为近年硅基光电子和微电子研究的热点。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
【出 处】
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第十三届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2012年5期
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