【摘 要】
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本文深入分析了高电子迁移率InN的外延生长,采用边界温度外延的方法实现了高迁移率lnN薄膜,室温下电子迁移率超过3000 cm2/Vs,InN的背景电子浓度低至1.4×1017 cm-3。分析了杂质和缺陷对InN电子迁移率和背景电子浓度的影响,确定了降低背景电子浓度的有效途径。研究了InN的p型掺杂,利用多种方法证明了InN的p型电导。
【机 构】
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School of Physics, State Key Laboratory of artificial Microstructure & Mesoscopic Physics
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文深入分析了高电子迁移率InN的外延生长,采用边界温度外延的方法实现了高迁移率lnN薄膜,室温下电子迁移率超过3000 cm2/Vs,InN的背景电子浓度低至1.4×1017 cm-3。分析了杂质和缺陷对InN电子迁移率和背景电子浓度的影响,确定了降低背景电子浓度的有效途径。研究了InN的p型掺杂,利用多种方法证明了InN的p型电导。
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本文采用磁控溅射法在n-GaN衬底上成功制备了NiO薄膜，从而制备了p-NiO/n-GaN异质结发光二极管。测试并分析了NiO薄膜材料的结构、光学、电学特性。研究结果显示了NiO材料具有良好的结晶质量并呈现p型导电特性。电流-电压(I-V)特性测试结果显示了该p-NiO/n-GaN异质结发光二极管典型具有典型的整流特性，开启电压大约2.2V。在正向偏压下，该二极管室温下发出明显的紫外光，发光中心位
用普通的化学气相沉积(CVD)技术,在高温真空管式炉中利用金属镓与氨气的反应在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)表面沉积GaN纳米结构。用场发射扫描电镜(FESEM)来研究其形貌；X射线衍射(XRD)表明氮化镓为六方纤锌矿结构：氮化镓在大约360 nm处出现本征峰,同时还有位于550 nm处的宽的黄光峰：电致发光图谱显示,它在大约550 nm和810nm处均有一个发光峰,随着电压的增大,810 nm处
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