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本文采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,并用量子点材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光与器件的电致发光特性.条宽100μm腔长为1.6mm,腔面未镀膜激光二极管室温下最大光功率输出2.74W.
应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件的发光特性研究
【摘 要】
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本文采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,并用量子点材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光与器件的电致发光特性.条宽100μm腔长为1.6mm,腔
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2002年期
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