【摘 要】
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本文提出在真空室中利用RHEED(reflection high-energy electron diffraction,反射高能电子衍射仪)实时监控对GaAs (001)表面γ(2×4)重构的温度不对称回滞进行研究,对比
【机 构】
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贵州大学电子科学系,贵州贵阳550025
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本文提出在真空室中利用RHEED(reflection high-energy electron diffraction,反射高能电子衍射仪)实时监控对GaAs (001)表面γ(2×4)重构的温度不对称回滞进行研究,对比了低(高)砷压条件下升(降)衬底温度过程中GaAs(001)表面γ(2×4)与c(2×4)重构的转变温度.利用同一个GaAs衬底,我们发现在砷压约为0.4μ Torr的较低砷压条件下,GaAs(001)表面的RHEED衍射图样从c(2×4)重构转变至γ(2×4)的转变温度约为443℃,而从γ(2×4)重构转变至c(2×4)的转变温度则为399℃.但是在砷压约为10μTorr的较高砷压条件下,GaAs(001)表面的RHEED衍射图样从c(2×4)重构转变至γ(2×4)的转变温度约为515℃,而从γ(2×4)重构转变至c(2×4)的转变温度则为511℃.可以明显看出在较低砷压条件下GaAs (001)表面从c(2×4)重构转变至γ(2×4)重构与从γ(2×4)重构转变至c(2×4)重构的转变温度偏差要比较高砷压条件下大.通过对c(4×4)表面和γ(2×4)表面的STM(scanning tunneling microscope,扫描隧道显微镜)扫描图样进行对比,简单分析了低砷压条件下GaAs (001)表面从c(2×4)重构转变至γ(2×4)重构与从γ(2×4)重构转变至c(2×4)重构的转变温度偏差较大的原因.
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