SiGe/Si异质结中的注氢行为的初步研究

来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：eg

【摘要】

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SiGe-OI新材料的制备具有重要的意义.采用键合技术制备SiGe-OI材料的技术现在还处于探索阶段.本文通过研究SiGe/Si异质结的注氢行为来讨论通过键合来转移SiGe薄膜的可能性,得

【作者】

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安正华张苗沈勤我林成鲁李开成

【机构】

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中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

【出处】

：

第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

：

异质结新材料键合技术热处理氢行为共价键转移气泡空腔键能薄膜剥离

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SiGe-OI新材料的制备具有重要的意义.采用键合技术制备SiGe-OI材料的技术现在还处于探索阶段.本文通过研究SiGe/Si异质结的注氢行为来讨论通过键合来转移SiGe薄膜的可能性,得出了经过适当热处理SiGe层可以从气泡空腔层处剥离开来的结论.本文同时分析了SiGe层中注氢与Si不同的原因是SiGe/Si异质结存在的应变和SiGe材料中存在的各种共价键的键能.

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