【摘 要】
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用MOD法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上生长了(110)取向柱状生长的Ba0.8Sr0.2TiO3薄膜过渡层,并在其上用PLD在不同氧压下淀积了Ba0.8Sr0.2TiO3薄膜.发现MOD的薄膜过渡层对其后用
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
用MOD法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上生长了(110)取向柱状生长的Ba0.8Sr0.2TiO3薄膜过渡层,并在其上用PLD在不同氧压下淀积了Ba0.8Sr0.2TiO3薄膜.发现MOD的薄膜过渡层对其后用PLD生长的Ba0.8Sr0.2TiO3薄膜结构具有显著的影响,其后生长的薄膜改变其原有的生长取向(100),沿过渡层的取向生长(110),并发现其结晶质量和取向度随淀积气压的降低而升高.在过渡层上生长的薄膜的生长方式还受到了淀积气压的影响,在较高压下沿过渡层向上柱状生长,在较低压力下为非柱状生长.
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