实现ZnO带隙的自由调控是实现其在光电器件领域应用的前提条件之一,因此ZnO的能带工程近年来成为宽禁带半导体领域的研究热点.阳离子取代的合金材料(如MgZnO、CdZnO)的研究一直是ZnO能带工程的研究重点,而近年来对阴离子取代的ZnOS合金开展了系统研究.系统优化了PLD法在蓝宝石单晶衬底上外延生长ZnOS薄膜工艺,研究并揭示了S含量与ZnOS薄膜的晶体结构、能隙宽度及光学性能间的依赖关系.研究阴阳离子复合取代的MgZnOS 及CdZnOS四元合金。四元合金相对于三元合金，增加了一个调节自由度，可望通过阴阳取代离子的协同作用增加取代原子在Zn0晶格中的溶解度，同时由阴阳取代离子分开调节带隙和晶格常数，从而实现对Zn0晶体结构和电子能带结构的更自由和更宽范围的调控。