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氮化钒(VN)由于具有熔点高，硬度高，化学性能稳定，且具有金属导电性等优点，近年来更是由于其高的理论电容率，显示出了在超级电容器领域的应用价值，因而引起了研究者的广泛兴趣。
激光脉冲沉积VN薄膜的工艺研究
【摘 要】
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氮化钒(VN)由于具有熔点高，硬度高，化学性能稳定，且具有金属导电性等优点，近年来更是由于其高的理论电容率，显示出了在超级电容器领域的应用价值，因而引起了研究者的广泛兴趣。
【机 构】
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电子与信息工程学院,西安交通大学,西安,710049
【出 处】
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第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议
【发表日期】
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2016年5期
其他文献
随着科学技术日新月异的发展，通信信息量的迅猛增加，作为现代通信技术中关键基础材料的微波介质陶瓷，要求相对介电常数εr 高以便于器件小型化，品质因数Q×f 值高以保证优良的选频特性，器件的谐振频率温度系数τf 尽可能小保证器件的热稳定性。
在众多铁电体中,CaBi4Ti4O15 作为典型的四层铋层状结构材料,具有居里温度(TC = 790 ℃)高,老化率低等优点,因而被大量研究。通过稀土离子取代CaBi4Ti4O15 中的A 位Ca/Bi 离子,能够诱导出优良的荧光性质,从而发展出具有良好的温度稳定性兼铁/压电及荧光性能的新型铋层材料。
铁酸铋(BiFeO3)作为罕见的单相室温多铁性材料，同时表现出830 ℃的居里温度和370 ℃的奈尔温度，其独特的物理性质赋予了它在功能器件方面的潜在应用。然而纯BiFeO3 的制备困难、漏电流大以及G-型反铁磁结构等限制其多功能应用。
近几年,在诸多BiFeO3 基无铅压电陶瓷材料中,BiFeO3-BaTiO3 陶瓷被广泛研究。然而其电阻率较低,使得BiFeO3-BaTiO3 陶瓷的铁电性和压电性相对较弱。最近,当少量掺杂MnO2 后,BiFeO3-BaTiO3 的介电损耗和漏电流大幅度减小。
本研究采用传统固相法成功地合成了0.94(Bi0.984Er0.016Na)0.5TiO3–0.06BaTiO3 无铅压电陶瓷，系统研究了烧结温度Ts、烧结时间ts 和极化电压对该陶瓷样品的铁电/压电及荧光性能的影响.
Crystallographic orientation dependence of piezoelectric and dielectric properties of BNT-based nano
To attain a deep understanding of piezoelectric and dielectric properties dependence of crystallographic orientation,the rhombohedral 0.90(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.10(Bi0.5K0.5)TiO3(abbreviated as BNT-BKT)si
应用于储能电容器的传统铁电与反铁电材料由于一些不可避免的缺点,如储能效率低,含铅量高,与硅半导体工艺结合性能下降等,使得研究者转向寻找储能性能优异的线性介电材料[1,2]。
随着移动通讯,卫星通讯的迅速发展,微波介质材料的介电常数εr,高品质因数Q(1/tanδ),频率温度系数τf 和热导率λ被提出了更高的要求.本文采用传统的两步法制备了分别掺杂纳米Al2O3和CeO2 的0.675CaTiO3-0.325LaAlO3 微波介质陶瓷.
随着4G 无线通讯基站的快速发展，频谱资源日益紧张，对滤波器的性能和研发周期提出了更严格的要求。介质腔体滤波器相比传统的金属腔体滤波器具有高Q 值、高稳定性、低损耗、小型化等优点，使介质谐振器在滤波器中的应用越来越广泛。
弛豫铁电固溶体单晶因其具有优异的介电、压电(d33=1500-2500pC/N)和机电耦合性能(k33＞90％),已经被广泛的研究和应用。近几年,高质量、均匀的三元弛豫铁电单晶铌铟镁酸-钛酸铅[Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3,(PIN-PMN-PT)]备受研究领域的瞩目,在具有优异压电与机电等特性的同时,其高的居里温度、相变温度和大矫顽场等优良特性