【摘 要】
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用稀盐酸作为腐蚀液，对硅基ZnO薄膜MIS结构发光器件中的Zno薄膜进行表面织构化处理。在正向偏压(硅衬底接负压)下，未经表面织构化处理的器件产生随机激射的阈值电流为～16 mA，而经过表面织构化处理后的器件的阈值电流仅为～6 mA；在相同的注入电流下，经过表面织构化处理的器件比未经处理的器件发光更强。我们认为，表面织构化对随机激射性能的改善作用主要来自于Zno/SiO2界面处光多重散射的增强以及
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
【出 处】
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2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会
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用稀盐酸作为腐蚀液，对硅基ZnO薄膜MIS结构发光器件中的Zno薄膜进行表面织构化处理。在正向偏压(硅衬底接负压)下，未经表面织构化处理的器件产生随机激射的阈值电流为～16 mA，而经过表面织构化处理后的器件的阈值电流仅为～6 mA；在相同的注入电流下，经过表面织构化处理的器件比未经处理的器件发光更强。
我们认为，表面织构化对随机激射性能的改善作用主要来自于Zno/SiO2界面处光多重散射的增强以及光出射范围的增大。
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