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选取了一种典型的光电耦合器4n25进行了1MeV高能电子及Co60γ辐照试验，获得了1MeV电子及CoH60 γ辐照后光电耦合器4n25 CTR参数的退化与粒子的通量的关系，通过辐射对器件及材料作用过程的分析，探讨了光电耦合器位移损伤效应及电离辐射效应。
光电耦合器辐射效应研究
【摘 要】
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选取了一种典型的光电耦合器4n25进行了1MeV高能电子及Co60γ辐照试验，获得了1MeV电子及CoH60 γ辐照后光电耦合器4n25 CTR参数的退化与粒子的通量的关系，通过辐射对器件及材料
【机 构】
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兰州物理研究所真空低温技术与物理国家级重点实验室 甘肃 兰州730000
【出 处】
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
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2009年期
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