【摘 要】
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因具有特殊的错开型能带结构,InAs/GaSb II型超晶格材料在红外探测领域具有广泛的应用前景,是目前国际上的研究热点。与传统红外探测材料碲镉汞相比,InAs/GaSb II型超晶
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
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因具有特殊的错开型能带结构,InAs/GaSb II型超晶格材料在红外探测领域具有广泛的应用前景,是目前国际上的研究热点。与传统红外探测材料碲镉汞相比,InAs/GaSb II型超晶格具有大面积均匀性好、响应波段范围宽、隧穿电流小、俄歇复合率低等优点,是制作大面积焦平面红外光电探测器的理想材料,但是由于GaSb组分层中Ga相关缺陷的存在使得InAs/GaSb超晶格材料少数载流子寿命非常小,为解决这个问题,本文研究不含Ga元素的InAs/InAsSb应变超晶格材料的MOCVD生长。
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