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来源 :2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhou0168
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本文测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy(Si)后,器件增益变化与辐照剂量存在线行反比关系,且增益损伤系数与器件注入水平有关;器件在受到总剂量为2.78×104Gy(Si)辐照后,器件静态基极电流Ib、集电极电流Ic、静态直流增益及最大振荡频率fmax出现不同程度退化,但器件其它电参数如特征截止频率fT、交流增益
本文设计了一款N沟道抗辐照功率VDMOS器件,并对该器件进行了总剂量实验。实验结果表明该器件的抗辐照性能良好。本文同时使用中带电压法对引起闭值电压漂移的氧化层固定电荷和界面态电荷进行了分离,计算了不同电荷对闭值电压漂移的贡献。
针对空间辐射导致CCD产生的位移损伤效应,采用IOMeV质子对典型的埋沟CCD器件进行了辐照实验,测试了器件的暗电流、暗电流非均匀性、电荷转移效率、饱和电压等参数的在辐照器件及辐照后退火实验中的变化情况。分析发现,10MeV质子辐射导致CCD暗电流、暗电流均匀性显著变大,电荷转移效率显著变小,而饱和电压总体变化不大。
与传统认为键合拉力的衰减主要取决于金属间化合物及Kirkendall孔洞形成的理论不同,笔者认为,键合拉力值以键合压点是否存在脱键为急剧变化的转折点,压点脱键前的断开位置主要集中在焊球颈部,所以键合拉力主要取决于颈部强度.文章运用颈部缺陷及应力理论解释了金丝键合在高温存储中的拉力衰减及其分段式规律,并基于Arrhenius模型,建立了以时间为变量的键合拉力衰减模型,通过参数拟合获得了模型基本参数,
功率分立器件在电子电力系统起着关键作用,保证高可靠性非常重要.可靠性试验是可靠性评价的主要方式,设计和工艺的确立都要能通过可靠性评价,产品最终的可靠性也要经得起试验的验证.本文阐述了功率分立器件可靠性评价的重要性,介绍了主要的可靠性试验项目和试验失效样品的分析方法及流程,并选取几个典型可靠性失效案例进行了分析.
本文探究亚稳态解吸附离子源的电离效率特性,包括流速、电场等参数对亚稳态解吸附装置电离效率的影响。结果表明放电功率和放电气体流速都存在一个最优值:流速保持5.7m/s时随着放电电压逐渐升高,放电模式从电晕到辉光转变过程中,离化效率急速上升,后由于浓度逐渐趋于饱和增加离子复合导致其又逐渐趋于一个稳定的值;放电电压恒定2.1kV时,当流速小于9.0m/s,离化效率保持一个线性相关度r=0.9986的趋势
提供F7000多用途电子束光刻系统和E3310晶圆多维影像测量扫描电镜,可满足下一代半导体技术的加工和检测的需求.F7000电子束光刻系统具有高分辨率、高速度、自由灵活、稳定运行的优点.E3310晶圆多维影像测量扫描电镜利用四个探测器同时成像,实现晶圆实时非破坏性三维测量和成像.
在膜带传输过程中,实现在线连续沉积,会造成化学液的持续消耗,同时化学液中含有限制排放的镉离子,废液处理费用昂贵,因此无论从化学液消耗角度还是从降低废液处理费用角度,都要尽可能减少化学液的消耗量.针对这些难点,提出了化学液以液膜形式流过膜带表面,并对化学液流速进行控制的解决办法.再根据薄膜传输速度,对沉积工艺时间进行准确控制,从而实现膜带传输过程中的连续在线沉积.通过在线式化学沉积工艺中的药液供给系
本文就硅通孔技术及其非常关键的可靠性和工艺成本做一个比较详细的分析,并就该技术的使用现状及未来应用前景进行一个全面介绍.本文同时也介绍了中电24所在TSV方面所作的一些初步工作.总的来看,随着TSV技术的发展和成品率的提高,TSV将在中高端全面占据市场份额,市场空间巨大。
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