【摘 要】
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通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。I
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京市912信箱,北京 100083
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。InP单晶的直径为2-4英寸、InAs单晶直径为2-3英寸。
其中InP单晶的X-射线衍射摇摆曲线半峰宽为9-20弧秒,InAs单晶的衍射半峰宽为12-18弧秒,表明这些晶体具有相当好的完整性。比较了明显富磷和富砷条件下分别生长的InP和InAs晶体的完整性和性能。结果表明保持稍富铟有利于生长高质量的InP和InAs单晶,其物理化学性质稳定,便于控制抛光清洗条件,获得高质量的抛光表面。
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