论煤矿综掘等技术的发展趋势

来源 :2010’全国煤矿机械与救援装备高层论坛暨新产品技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wutiepeng
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我国煤炭资源丰富,保守资源量10202亿t。根据第三次煤炭资源预测与评价,我国煤炭资源总量为5157万亿t,位居世界第一;可采储量为2040亿t,位居世界第二。根据预测,到2010年煤炭在我国一次性能源生产和消费结构中仍占60%左右,到2050年,这一比例不会低于50%。在未来几十年内。煤炭仍将是我国的主要能源之一。
其他文献
本文运用电子束蒸发的方法制备了厚度约300nm的Er-Si-O薄膜,并且通过高温热处理将硅纳米晶和铒硅化合物颗粒引入到SiO2基质中,实现了硅纳米晶对铒硅化合物的敏化作用。卢瑟福背散射(RBS)分析表明Er—Si-O薄膜组份为SiO2.01Er0.33,其中铒的质量分数高达9%。透射电镜(TEM)发现硅纳米晶和硅酸铒的粒径分别为5nm和50nm。光致发光测试表明在非共振激发的条件下,有硅纳米晶共存
由于Er的1.54μm(4I13/2-4I15/2)处的发光恰好处在硅基光纤材料中的低损耗波长范围,掺Er半导体材料被视为富有前景的光电材料之--[1-2】。我们发现选择氧化物做为基质材料,可以提高同溶度,另一方面宽带系材料可以抑制热淬灭。所以人们对禁带宽度为3.37eV的宽禁带半导体材料氧化锌作为Er掺杂基质材料进行了大量的研究。同时我们发现对Er3+1.54μm处的发光而言,使用纳米硅(Si-
Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布,通过分析载流子在直接带和间接带间的辐射复合和非辐射复合的竞争,计算了n型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质。结果表明n型掺杂和张应变共同作用可以有效增强Ge直接带发光。
Si基光源是实现单片光电集成的关键,也是长期以来人们一直关注和研究的前沿问题之一[1]。特别是为了克服体硅材料发光效率低下的问题,多年来国内外很多研究小组在纳米Si量子点的制备与发光特性研究方面开展了大量工作,并在室温下实现了较强的光致与电致光发射,其效率比体硅材料有了明显的提高。一般认为,这是由于量子限制效应使得在纳米尺度下,电子和空穴的辐射复合几率大大增加所致。但对于硅材料,量子限制效应也导致
采用MBE方法,在Si(001)衬寸底上,以低、高温两步法生长的Ge薄膜为缓冲层,生长出了高质量的GeSn合金,并研究了GeSn合金的热稳定性。成功制作出硅基GeSn合金p-i-n型光电探测器,相关性能指标为目前国际上最好。
本文利用多孔阳极氧化铝作为模板,将贴有模板的衬底在分子束外延生长系统中进行锗的沉积,通过不同的工艺选择,研究了其对于自组装锗纳米点的有序性和周期性的影响。扫描电镜的结果证实此方法可以获得尺寸小、均一且周期性良好的纳米点状结构。
提出一种结合低温缓冲层和应变超晶格优势的制备方法,利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm的高质量纯Ge层。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.45nm,XRD双晶衍射曲线半高宽分别为273 arcsec,位错腐蚀结果显示线位错密度约为1.5×106 cm-2,具有良好的结晶质量。
用稀盐酸作为腐蚀液,对硅基ZnO薄膜MIS结构发光器件中的Zno薄膜进行表面织构化处理。在正向偏压(硅衬底接负压)下,未经表面织构化处理的器件产生随机激射的阈值电流为~16 mA,而经过表面织构化处理后的器件的阈值电流仅为~6 mA;在相同的注入电流下,经过表面织构化处理的器件比未经处理的器件发光更强。我们认为,表面织构化对随机激射性能的改善作用主要来自于Zno/SiO2界面处光多重散射的增强以及
在重掺N型硅衬底上制备了SiO2/ZnO/CdO/SiO2双势垒器件。通过适当地热处理,在ZnO/CdO两薄膜层中实现了Cd浓度渐变的CdxZn1-xO薄膜发光层。对器件的电致发光性能进行测试发现,在较小的正向电流(此时硅衬底接负压)注入下,器件在紫光区内产生随机激射;而当注入电流增大到一定数值以后,除了紫光区内的随机激射外,器件在红光区内也产生了随机激射。研究表明,紫光、红光区域内的随机激射峰分
通过建立All-Pass型微环谐振腔波导结构的非线性光传输模型,分析了影响全光开关调制速率的几个因素:光子寿命、载流子寿命、信号光波长、耦合系数等,数值仿真了伪随机数据序列为40Gbit/s(载流子寿命为6ps)的全光高频调制。分析表明,全光调制速率与载流子寿命和光子寿命有关,为得到高调制速率必须减小载流子寿命,并且通过增加耦合系数等方法减小光子寿命。