立方氮化硼晶体的硅掺杂

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gaohenghao
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立方氮化硼(cBN)是禁带宽度最大的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,约为6.4eV,其热导率仅次于金刚石,约13 W/cm·K,本征击穿电场高达8×106V/cm,有很高的化学稳定性、热稳定性,以及很强的抗高能粒子辐射能力,而且能够实现两性掺杂,因而在高温大功率电子器件、深紫外光电子器件等领域具有重要的应用前景.
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ZnO是一种多功能宽带隙金属氧化物半导体材料,因其对环境污染小、具有较高的粒子激活能等特点,被广泛应用于电阻型薄膜气体传感器[1].而构筑出高性能低成本的气敏器件,一直是科研人员所追求的目标[2].
会议
使用In、N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一[1].同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与GaAs衬底晶格匹配的优势[2],基于GaAs衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期.
会议
低维半导体材料在新型半导体器件开发上具有广阔的应用前景,近年来一直为半导体科学技术领域的研究热点.从理论上研究低维半导体材料的电子态,对新型半导体器件设计具有重要的理论价值和指导意义[1-3].
会议
室温下,采用磁控溅射方法在热氧化P型硅衬底上制备了IGZO-TFT.在不同氩氧比条件下制备IGZO薄膜,研究氧分压对IGZO-TFT性能的影响.发现随着氧分压的增加,器件的场效应迁移率逐渐减小,电流开关比也逐渐减小,但阈值电压和亚阈值摆幅逐渐增加.
会议
新原理量子点量子阱光电功能器件是目前研究和应用的重要光电器件之一,在微光探测领域其性能尤为突出.由其所构成的焦平面是新原理量子点-量子阱光电器件发展的重要方向.
会议
近年来,采用分子束外延生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其纳米光电器件研究成为新型纳米光电器件和量子物理研究领域的热点.其中一个重要的研究方向是把纳米线与三维量子限制结构如量子环[1]、量子点[2]等结合以期待获得新的光电和量子效应.
会议
碲镉汞(HgCdTe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有禁带宽度可调、量子效率高等优势,使其在红外探测器件的制备中得到广泛应用.然而,HgCdTe材料在生长过程中容易产生汞空位(VHg)、碲反位(TeHg)[1]等缺陷,从而对红外器件的电学性能产生很大影响.
会议
In this paper, we propose a novel tri-layer film photoelectrode structure in the DSSC.In the tri-layer electrode structure, the bottom layer is composed of tightly interconnected TiO2 nanoparticles, w
会议
实现低成本高效率的第三代光伏电池是解决目前日益凸显的能源和环境问题的有效途径,其中中间带太阳电池以其结构简单、理论效率高以及成本低的特点受到了重视.
会议
CdZnTe材料因其良好的性质在高响应室温探测器、太阳能电池、以及碲镉汞探测器衬底方面有着广泛的应用和发展前景,因此在探测器制备和材料微观机理研究方面,都引起了国内外高度关注.
会议