【摘 要】
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本文采用VHF-PECVD实现了高速沉积非晶硅电池,在保证材料质量的同时使得沉积速率达到10-20A/s。研究了气体滞留时间对于沉积速率的影响,特别是电极间距和沉积压力二者共同作
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071
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本文采用VHF-PECVD实现了高速沉积非晶硅电池,在保证材料质量的同时使得沉积速率达到10-20A/s。研究了气体滞留时间对于沉积速率的影响,特别是电极间距和沉积压力二者共同作用下对于沉积速率的影响。把获得的高速本征非晶硅材料应用到pin结构的电池中,在过渡区p层和p-μc-SiC∶H分别作为电池窗口层,没有ZnO增反背电极的情况下电池的效率分别达8.65％和8.78％。由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。最后,把得到的高速非晶硅顶电池应用到非晶/微晶叠层电池中,初步获得的非晶/微晶叠层电池的效率为10.2％。
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