X波段InGaP/GaAs HBT MMIC功率放大器

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：enjoyyu

【摘要】

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本文报道了工作于x波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用IMECAS InGaP/GaAs HBT自对准工艺制作有源及无源器件,标准mmic工艺完成芯片减薄及背孔制作.电路采用R

【作者】

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陈延湖申华军王显泰刘新宇吴德馨

【机构】

：

中国科学院微电子研究所,北京,100029

【出处】

：

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2006年期

【关键词】

：

波段输入输出驻波比电路功率放大器工艺制作芯片减薄无源器件功率增益并联网络自对准小信号稳定性夹具单级测量标准

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本文报道了工作于x波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用IMECAS InGaP/GaAs HBT自对准工艺制作有源及无源器件,标准mmic工艺完成芯片减薄及背孔制作.电路采用RC并联网络提高电路的稳定性,在9.3Ghz,利用夹具测量,得到的小信号功率增益大于5dB,输入输出驻波比小于2.5.

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