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本文主要介绍选择能量较低的Mn<+>离子注入处于室温下的P型GaN薄膜,系统进行了多个剂量的Mn<+>离子注入,在N<,2>气流中经~800℃的快速热退火后,用多种方法研究了样品的结构特征和磁学特性.
(Ga,Mn)N稀磁半导体的Mn<'+>注入制备和磁性研究
【摘 要】
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本文主要介绍选择能量较低的Mn离子注入处于室温下的P型GaN薄膜,系统进行了多个剂量的Mn离子注入,在N气流中经~800℃的快速热退火后,用多种方法研究了样品的结构特征和磁学特
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院(湖北武汉)
【出 处】
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2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议
【发表日期】
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2004年期
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