MOCVD法制备MgZnO合金薄膜

来源 :第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yhcguopdf
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长Mg<,x>Zn<,1-x>O合金薄膜.c轴取向的Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角形纤锌矿结构,没有观察到MgO分相,此时薄膜的能带宽度可以在3.3eV到3.95eV之间调节.
其他文献
本文从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了对Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响情况,结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高.采用上述改进措施,成功得到Voc达到287.5mV,Isc达到73.13mA/cm,效率达到7.35﹪的Ge太阳电池.
利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,用数值模拟法就提出的碳化硅光控达林顿异质结晶体管功率开关进行了导通机理的研究,并通过修正二维数值模拟器MEDICI中有关的参数的模型,对新颖的光控功率开关的开关过程进行了模拟分析.分析结果表明,在触发光功率为1W/cm时,随集电极电压的增大,处于关闭态的功率开关,经由中间过渡区达到开通状态,光控器件具有较好的开关特
本文首先明确了与LED效率相关的几个概念,并结合LED的发光机理,分析得出目前限制GaN基LED发光效率的主要因素是外提取效率,然后利用几何和物理光学方法分析了影响GaN基LED外提取效率的因素和机理,最后针对全反射,吸收,侧向发光等问题总结了现有的各种提高GaN基LED提取效率的手段及其优缺点.
从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag等多种倒装结构P电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED P电极的多种设计方案.指出Ni/Au金属化体系在大功率LED应用中存在的热稳定性问题及Ru,Ir等新型金属体系实现GaN P电极接触的潜在优势.
用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了InGaAs/InAlAs异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能.结果发现InGaAs量子阱的导带第一二电子子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰强度比I/I及相应峰值的半高宽(FWHM)分别与Hall测量结果得到的二维电子气(2DFG)浓度和迁移率有定性的对应关系.
我们先后研制成功低温反射式、低温透过式和表面态反射式1μm半导体可饱和吸收镜以及800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜.利用1微米半导体可饱和吸收镜实现多种固体激光器被动锁模,最短脉冲宽度为3ps,利用800nm布拉格型半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光器自启动被动锁模,最短脉冲宽度为37fs.
采用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900um,电流注入区条宽100um,两端的无注入区宽度均为25um.镀膜后器件的阈值电流为0.38A,输出波长670±2nm,最大输出功率为1100mW,水平、垂直发散角分别为8°、40°.这
我们在不同的温度下在c面蓝宝石衬底上生长了氧化锌的缓冲层,并在此基础上继续生长出了高质量的氧化锌薄膜.X射线衍射(XRD)显示,缓冲层的引入对(002)ZnO的衍射峰强度有着非常大的影响,并会减小薄膜内部的张应变,从而有效的提高薄膜的晶体质量.样品的光荧光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)测试结果显示引入缓冲层后,薄膜的光学质量得到了相应的提高,薄膜的表面粗糙度变大.缓冲层温度为320℃的氧化锌薄
在GaAs(001)衬底上采用MOCVD方法沉积了ZnO薄膜,并研究了衬底温度和氧气流量对ZnO薄膜结晶性能及光电特性的影响.在610℃,O流量为130sccm时,ZnO薄膜结晶质量最好,(002)衍射峰半高宽PWHM最低赕0.185°.O流量增加,薄膜光致发光谱中近带边发射明显增强,深能级峰明显减弱,二者峰强比值最高达53:1.O流量的增加,也影响着ZnO薄膜的电参数,在610℃,O流量为180
本文研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长氧化锌薄膜过程中锌源温度对薄膜生长和质量的影响.使用X射线衍射谱(XRD)、室温光荧光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)对所生长氧化锌薄膜的晶体质量、光学特性和表面形貌进行了比较与研究.研究显示锌源温度为-19℃时所生长的ZnO薄膜具有较好的综合特性.XRD显示每个样品仅在2θ=34.7°附近有一个很陡峭的ZnO(002)晶面衍射峰,说明所制备的氧