【摘 要】
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针对磁控溅射、真空阴极电弧沉积技术、全方位离子注入等现有表面改性技术的适用范围和优缺点,本文介绍了一种新型的复合型全方位注入+沉积表面改性方法以及根据该方法研制的
【机 构】
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北京航空航天大学机械工程与自动化学院,材料加工与控制系,北京,100083
【出 处】
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2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议
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针对磁控溅射、真空阴极电弧沉积技术、全方位离子注入等现有表面改性技术的适用范围和优缺点,本文介绍了一种新型的复合型全方位注入+沉积表面改性方法以及根据该方法研制的SAC-Ⅰ型全方位注入沉积复合镀膜设备,设备充分利用非平衡磁控溅射、真空阴极电弧磁场技术的特点,构成封闭磁场结构,满足全方位离子注入技术对等离子体约束的需求.克服了传统全方位离子注入技术昂贵复杂的磁场约束等离子体的缺点以及需要额外等离子体发生装置的缺点,使得非平衡磁控溅射技术、真空阴极电弧技术、以及全方位离子注入技术的一些优点得以复合,实现了表面改性技术手段的多样化和优化.采用该设备,成功制备了高品质的TiN薄膜.
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