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轻元素掺杂对铒在晶体硅中微观结构的影响
轻元素掺杂对铒在晶体硅中微观结构的影响
来源 :2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cartman8148
【摘 要】
:
利用离子束背散射沟道技术分析测量了室温条件下轻元素杂质掺入Si:Er系统后,对铒在硅中微观结构的影响.初步结果显示,轻元素氧的掺入可以抑制铒在高温退火时向硅表面的扩散,
【作 者】
:
谢大林
任晓堂
王忠义
【机 构】
:
北京大学物理学院重离子物理教育部重点实验室
【出 处】
:
2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议
【发表日期】
:
2006年期
【关键词】
:
元素掺杂
晶体硅
微观结构
轻元素
高温退火
室温条件
晶格位置
晶格缺陷
沟道技术
分析测量
掺入
离子束
硅晶体
硅表面
背散射
杂质
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利用离子束背散射沟道技术分析测量了室温条件下轻元素杂质掺入Si:Er系统后,对铒在硅中微观结构的影响.初步结果显示,轻元素氧的掺入可以抑制铒在高温退火时向硅表面的扩散,减少退火时晶格缺陷的浓度,改变铒在硅晶体中的晶格位置.
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