【摘 要】
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在利用MEMS工艺制造集成波导过程中,通孔的制备工艺至关重要.激光刻蚀作为常用的制备通孔的重要技术,属于各向异性干法刻蚀,具有刻蚀快速、易获得高深宽比孔槽的特点.本文采
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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在利用MEMS工艺制造集成波导过程中,通孔的制备工艺至关重要.激光刻蚀作为常用的制备通孔的重要技术,属于各向异性干法刻蚀,具有刻蚀快速、易获得高深宽比孔槽的特点.本文采用红外和紫外两种激光来刻蚀体硅,采用扫描电镜观察刻蚀效果,结果发现相比红外激光刻蚀,紫外激光刻蚀更适合于小孔径通孔的制备.在此基础上,提取并优化了激光刻蚀参数,利用激光串行操作成功制备了高准直度和高深宽的通孔阵列,为集成波导微波电路设计提供了快速工艺基础.
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