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利用化学腐蚀和飞秒脉冲激光辐照的方法在单晶硅表面制备了金字塔、多孔硅和黑硅三种陷光结构。测量了这些结构的光反射率和吸收率,并结合扫描电镜对表面情况进行了分析对比。结果表明,所制备的材料均具有较理想的陷光效果,黑硅材料在300-2500nm波段内具有90％以上的光吸收率。
硅表面陷光结构初探
【摘 要】
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利用化学腐蚀和飞秒脉冲激光辐照的方法在单晶硅表面制备了金字塔、多孔硅和黑硅三种陷光结构。测量了这些结构的光反射率和吸收率,并结合扫描电镜对表面情况进行了分析对比
【机 构】
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中国科学院半导体研究所中科院材料科学重点实验室,北京 100083 清华大学电子工程系,北京 100084
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2010年期
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