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为研究在传统低温情况下继续升温时对二次晶化晶粒大小等固相晶化性质的影响,用玻璃作衬底在不同温度下用PECVD 法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、3500C 和4500C 下沉积的样品在6000C 和8500C 下退火三个小时,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,8500C 下退火的薄膜比6000C下好。在4500C 下沉积8500C 退火三个小时,SEM 表面最大晶粒尺寸为900nm 左右。