【摘 要】
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柔性显示器件是显示技术领域研究的热点,其关键技术之一是柔性薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFTs)阵列的制备.氧化物半导体被认为是最有前景的TFT有源层材料[1].但目前开发的大部分氧化物TFT器件都需要采用热退火工艺来提高其性能,这对柔性衬底的热稳定性、耐温性提出了较高的要求,不利于柔性显示器件的大规模推广.本文采用脉冲直流磁控溅射在柔性PI衬底上室温沉积Al2O3/I
【机 构】
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发光材料与器件国家重点实验室,华南理工大学材料科学与工程学院,广东广州,510640
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柔性显示器件是显示技术领域研究的热点,其关键技术之一是柔性薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFTs)阵列的制备.氧化物半导体被认为是最有前景的TFT有源层材料[1].但目前开发的大部分氧化物TFT器件都需要采用热退火工艺来提高其性能,这对柔性衬底的热稳定性、耐温性提出了较高的要求,不利于柔性显示器件的大规模推广.本文采用脉冲直流磁控溅射在柔性PI衬底上室温沉积Al2O3/IGZO异质结作为TFTs器件的有源层,其栅极、栅极绝缘层和源/漏电极分别为Al∶Nd合金、氧化铝和蒸镀Al电极(如图1(a)).TFTs器件沟道的长宽比为500um/500um.在未经退火处理的情况下,获得了较好的器件性能,其饱和迁移率为2.84 cm2.V-1.s-1、开关比为1.1×106、亚阈值摆幅(Subthreshod Swing,SS)为0.718V/dec.为了研究其柔性性能,我们测试了PI衬底弯曲后的器件特性,弯曲后其饱和迁移率为1.64 cm2.V-1.s-1、开关比为1.71×105、SS为0.628V/dec.弯曲后薄膜晶体管性能有略有下降,这可能是弯曲产生应力,导致界面IGZO与Al2O3界面晶格发生畸变从而产生位错,使得电子散射增强,阻碍了电子传输.
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