从对称性角度分析GaAs量子阱的自旋动力学性质

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aquabluesky
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闪锌矿结构的GaAs量子阱是当今自旋电子学领域最为重要和研究最为广泛的材料之一.一方面由于GaAs量子阱生长工艺相对成熟,另一方面由于这种材料具有中心反演不对称性,其自旋-轨道场会引起导带电子能量的劈裂.
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Mn3-x-yCoxNiyO4(0<x<2,0<y<1) (MCNO)是一类三元过渡金属氧化物,以Mn3O4为原型发展而来,是具有Mn混合价态的锰酸盐,属于立方尖晶石晶体结构,其中存在自旋、轨道、晶格之间的相互作用,这些相互作用与其电学、磁学性质密切相关[1].
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自1881年被Edwin Hall发现以来,反常霍尔效应(Anomalous Hall effect,AHE)因其所蕴含的丰富而有趣的物理现象吸引了大量的理论和实验研究.尽管如此,AHE的介观起源和理论解释仍然颇具争议.
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近年来,由于在垂直磁存储以及STT-MRAM[1]、自旋转矩振荡器(STO)等自旋器件中的潜在应用价值,具有垂直磁晶各向异性(PMA)的磁性材料受到了越来越多的关注.
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磁滞回线给出了磁性薄膜的重要性质,不同的磁滞回线的形状和面积可以满足不同的需求,比如说,高磁能积(磁滞回线既宽又高)的磁体可以减小器件的尺寸和重量[1,2].
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会议
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Ferromagnetic films with both high perpendicular magnetic anisotropy (PMA) and good compatibility with semiconductors have potential application in semiconductor spintronic devices, like spin light-em
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