【摘 要】
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本文利用原子源辅助激光分子束外延系统(L-MBE)在蓝宝石(0001)衬底上制备带有超晶格缓冲层(Mg0.1Zn0.9O/ZnO)的氮掺杂p型ZnO薄膜。高分辨x射线衍射(HR-XRD)测试表明所制备的Z
【机 构】
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西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安 710049 西安交通大学-中国科学院半导体研究所信息功能材料与器件联合实验室,西安 710049
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文利用原子源辅助激光分子束外延系统(L-MBE)在蓝宝石(0001)衬底上制备带有超晶格缓冲层(Mg0.1Zn0.9O/ZnO)的氮掺杂p型ZnO薄膜。高分辨x射线衍射(HR-XRD)测试表明所制备的ZnO薄膜均为(0002)取向,并且沿c轴方向的残余应力得到抑制。室温Hall测试结果表明：200℃制备的氮掺杂ZnO呈现出明显的p型导电类型,其迁移率为4.08cm2/Vs,其载流子浓度为1.47×1017cm-3；而300℃制备的ZnO表现出弱p型导电类型,其迁移率为0.75 cm2/Vs,其载流了浓度为4.40×1016cm-3.
其后的x射线光电子能谱(XPS)测试证明氮掺杂ZnO样品分别在位于404eV和396eV处出现两个N1s峰,这两个峰分别与(N2)O和NO有关。在200℃掺杂的ZnO样品的10K低温光致发光光谱分别在3.351eV处呈现NO有关的受主束缚激子峰和位于3.228eV处的施主-受主缺陷对的发光峰。
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